2SA1418S-TD-E Sanyo
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1303+ | 15.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1418S-TD-E Sanyo
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SA1418S-TD-E за ціною від 12.67 грн до 40.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 566 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |