Продукція > ONSEMI > 2SA1419S-TD-E
2SA1419S-TD-E

2SA1419S-TD-E onsemi


EN2007_D-2311156.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.78 грн
10+ 36.28 грн
100+ 21.88 грн
500+ 18.27 грн
1000+ 15.51 грн
2000+ 13.8 грн
5000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA1419S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SA1419S-TD-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sa1419-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 223en2007-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E Виробник : ONSEMI Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E Виробник : onsemi Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E Виробник : onsemi Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E Виробник : ONSEMI Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
товар відсутній