2SB1122S-TD-E ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 6.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1122S-TD-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 140, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2SB1122S-TD-E за ціною від 6.13 грн до 10.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SB1122S-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 73000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : SANYO | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : SANYO | SOT89 |
на замовлення 67000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V |
на замовлення 5467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SB1122S-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |