Продукція > ONSEMI > 2SB1122S-TD-E
2SB1122S-TD-E

2SB1122S-TD-E ONSEMI


2SB1122-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
109+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 109
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1122S-TD-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 140, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції 2SB1122S-TD-E за ціною від 6.13 грн до 10.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Виробник : ONSEMI 2SB1122-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
109+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 109
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Виробник : onsemi 2sb1122-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1854+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 1854
2SB1122S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 43022sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+9.47 грн
73+ 7.76 грн
75+ 7.64 грн
76+ 7.24 грн
77+ 6.6 грн
100+ 6.23 грн
250+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 60
2SB1122S-TD-E Виробник : SANYO 2sb1122-d.pdf 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122S-TD-E Виробник : SANYO 2sb1122-d.pdf SOT89
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2SB1122-D-1801494.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
на замовлення 5467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1122S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 43022sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1122S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 43022sb1122-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Виробник : onsemi 2sb1122-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1122S-TD-E 2SB1122S-TD-E Виробник : onsemi 2sb1122-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній