Продукція > ONSEMI > 2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-E

2SB1124T-TD-E onsemi


en2019-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.1 грн
10+ 30.85 грн
100+ 21.35 грн
500+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1124T-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 3A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SB1124T-TD-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1124T-TD-E 2SB1124T-TD-E Виробник : ON Semiconductor EN2019-D-1803572.pdf Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1124T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1745en2019-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1124T-TD-E Виробник : SANYO en2019-d.pdf 0537+ SOT-89
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124T-TD-E Виробник : SANYO en2019-d.pdf SOT89
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124T-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1745en2019-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1124T-TD-E 2SB1124T-TD-E Виробник : onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній