Продукція > ROHM > 2SB1184 TL R

2SB1184 TL R ROHM


Виробник: ROHM
09+
на замовлення 7518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1184 TL R ROHM

Description: TRANS PNP 50V 3A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1184 TL R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1184TLR Виробник : ROHM 2SB1184%2C1243.pdf 09+
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184-TL-R Виробник : ROHM TO252 0536+
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184TL-R 2SB1184TL-R Виробник : Rohm Semiconductor 2sb1184.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
товар відсутній
2SB1184TLR 2SB1184TLR Виробник : Rohm Semiconductor 2SB1184%2C1243.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLR 2SB1184TLR Виробник : Rohm Semiconductor 2SB1184%2C1243.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLR 2SB1184TLR Виробник : ROHM Semiconductor 2SB1184-1201375.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 3A
товар відсутній