Продукція > ONSEMI > 2SB1202S-E
2SB1202S-E

2SB1202S-E ONSEMI


2sb1202-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1202S-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SB1202S-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1202S-E 2SB1202S-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1202S-E 2SB1202S-E Виробник : onsemi 2SB1202_D-2310068.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1202S-E 2SB1202S-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SB1202S-E Виробник : ONSEMI EN2113.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: IPAK
Current gain: 140...280
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SB1202S-E 2SB1202S-E Виробник : onsemi 2sb1202-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A TP
товар відсутній
2SB1202S-E Виробник : ONSEMI EN2113.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: IPAK
Current gain: 140...280
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 150MHz
товар відсутній