2SB1205T-TL-E ON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 9.4 грн |
| 63+ | 9.25 грн |
| 64+ | 9.11 грн |
| 65+ | 8.64 грн |
| 100+ | 7.88 грн |
| 250+ | 7.43 грн |
| 500+ | 7.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1205T-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SB1205T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SB1205T-TL-E за ціною від 20.5 грн до 22.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SB1205T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
2SB1205T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| 2SB1205T-TL-E | Виробник : SANYO |
|
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
2SB1205T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |