Продукція > ONSEMI > 2SB1302S-TD-E
2SB1302S-TD-E

2SB1302S-TD-E onsemi


2sb1302-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1302S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SB1302S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SB1302S-TD-E за ціною від 16.28 грн до 48.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1302S-TD-E 2SB1302S-TD-E Виробник : onsemi 2sb1302-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.52 грн
10+ 40.26 грн
100+ 27.87 грн
500+ 21.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SB1302S-TD-E 2SB1302S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2SB1302-D-1801908.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1302S-TD-E Виробник : ONSEMI 2sb1302-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1302S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SB1302S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1302-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+19.85 грн
30+ 18.97 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SB1302S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1302-d.pdf
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1302S-TD-E Виробник : SANYO 2sb1302-d.pdf 06+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1302S-TD-E Виробник : SAYNO 2sb1302-d.pdf SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1302S-TD-E 2SB1302S-TD-E
Код товару: 104043
2sb1302-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1302S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 42982sb1302-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній