2SB1308T100Q ROHM Semiconductor


rohm_2sb1308-1201589.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 3A
на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.21 грн
10+ 47.31 грн
100+ 28.06 грн
500+ 23.46 грн
1000+ 19.52 грн
2000+ 17.61 грн
5000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1308T100Q ROHM Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1308T100Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1308T100Q Виробник : ROHM 2sb1308.pdf 09+
на замовлення 130818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1308T100Q Виробник : ROHM 2sb1308.pdf SOT-89
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1308T100Q 2SB1308T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sb1308.pdf Description: TRANS PNP 20V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній