Продукція > ONSEMI > 2SD1060S-1E
2SD1060S-1E

2SD1060S-1E onsemi


en686-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.85 грн
50+ 78.26 грн
100+ 62.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1060S-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції 2SD1060S-1E за ціною від 36.83 грн до 109.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : onsemi EN686_D-2311187.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.55 грн
10+ 86.54 грн
100+ 50.81 грн
600+ 41.35 грн
1200+ 38.96 грн
3000+ 37.09 грн
5400+ 36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : ON Semiconductor 276en686-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : ON Semiconductor 276en686-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній