2SD1230

2SD1230 onsemi


SNYOS14512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
323+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 323
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1230 onsemi

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 4A, 3V, Frequency - Transition: 20MHz, Supplier Device Package: TO-3PB, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2.5 W.

Інші пропозиції 2SD1230

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1230 SNYOS14512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)