2SJ162-E

2SJ162-E Renesas


1794909559959266rej03g0847_2sj160ds.pdf Виробник: Renesas
Trans MOSFET P-CH Si 160V 7A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ162-E Renesas

Description: MOSFET P-CH 160V 7A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SJ162-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SJ162-E 2SJ162-E Виробник : Renesas Electronics Corporation 2sj160-2sj161-2sj162-datasheet Description: MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товар відсутній
2SJ162-E 2SJ162-E Виробник : Renesas Electronics REN_rej03g0847_2sj160ds_DST_20050907-2930669.pdf MOSFET Power MOSFET
товар відсутній