Продукція > TOSHIBA > 2SJ360(TE12L,F)
2SJ360(TE12L,F)

2SJ360(TE12L,F) Toshiba


27712sj360_datasheet_en_20090929.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ360(TE12L,F) Toshiba

Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: PW-MINI, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SJ360(TE12L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SJ360(TE12L,F) 2SJ360(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
товар відсутній
2SJ360(TE12L,F) 2SJ360(TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SJ360.pdf MOSFET MOSFET P-Ch, 60V, 1A, Rdson 0.73 Ohm
товар відсутній
2SJ360 (TE12L,F) 2SJ360 (TE12L,F) Виробник : Toshiba 2SK2231_datasheet_en_20100205-1133913.pdf MOSFET
товар відсутній