Результат пошуку "2SK1317-E." : 2

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SK1317-E 2SK1317-E RENESAS rej03g0929_2sk1317ds.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.72 грн
3+ 278.64 грн
8+ 263.54 грн
90+ 253.25 грн
2SK1317-E 2SK1317-E RENESAS 2sk1317-datasheet description Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.28 грн
10+ 314.12 грн
100+ 291.2 грн
500+ 232.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK1317-E description rej03g0929_2sk1317ds.pdf
2SK1317-E
Виробник: RENESAS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+374.72 грн
3+ 278.64 грн
8+ 263.54 грн
90+ 253.25 грн
2SK1317-E description 2sk1317-datasheet
2SK1317-E
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+506.28 грн
10+ 314.12 грн
100+ 291.2 грн
500+ 232.66 грн
Мінімальне замовлення: 2