Продукція > RENESAS > 2SK1317-E
2SK1317-E

2SK1317-E RENESAS

rej03g0929_2sk1317ds.pdf Виробник: RENESAS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+369.06 грн
3+ 274.43 грн
8+ 259.56 грн
90+ 249.42 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1317-E RENESAS

Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SK1317-E за ціною від 205.29 грн до 498.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : Renesas Electronics Corporation 2sk1317-datasheet?r=1335631 Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.47 грн
30+ 328.55 грн
120+ 293.98 грн
510+ 243.43 грн
1020+ 219.08 грн
2010+ 205.29 грн
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : RENESAS rej03g0929_2sk1317ds.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.87 грн
3+ 341.98 грн
8+ 311.47 грн
90+ 299.3 грн
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : Renesas Electronics REN_rej03g0929_2sk1317ds_DST_20050907-2930750.pdf MOSFET MOSFET - Pb Free
на замовлення 89566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+464.07 грн
10+ 391.77 грн
30+ 279.67 грн
120+ 262.15 грн
270+ 255.66 грн
510+ 215.43 грн
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : RENESAS 2sk1317-datasheet Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+498.63 грн
10+ 309.37 грн
100+ 286.8 грн
500+ 229.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK1317-E Виробник : Renesas 2sk1317-datasheet?r=1335631 2SK1317 HIT2SK1317
кількість в упаковці: 360 шт
товар відсутній