Продукція > RENESAS > 2SK1317-E
2SK1317-E

2SK1317-E RENESAS

rej03g0929_2sk1317ds.pdf Виробник: RENESAS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.78 грн
3+ 277.94 грн
8+ 262.88 грн
90+ 252.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1317-E RENESAS

Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SK1317-E за ціною від 207.92 грн до 505.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : Renesas Electronics Corporation 2sk1317-datasheet?r=1335631 Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.94 грн
30+ 332.75 грн
120+ 297.74 грн
510+ 246.54 грн
1020+ 221.89 грн
2010+ 207.92 грн
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : RENESAS rej03g0929_2sk1317ds.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.53 грн
3+ 346.35 грн
8+ 315.45 грн
90+ 303.13 грн
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : Renesas Electronics REN_rej03g0929_2sk1317ds_DST_20050907-2930750.pdf MOSFET MOSFET - Pb Free
на замовлення 89566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+470 грн
10+ 396.78 грн
30+ 283.25 грн
120+ 265.51 грн
270+ 258.93 грн
510+ 218.19 грн
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : RENESAS 2sk1317-datasheet Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+505.01 грн
10+ 313.32 грн
100+ 290.47 грн
500+ 232.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK1317-E Виробник : Renesas 2sk1317-datasheet?r=1335631 2SK1317 HIT2SK1317
кількість в упаковці: 360 шт
товар відсутній