2SK1339-E

2SK1339-E Renesas Electronics Corporation


2sk1339-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1339-E Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK1339-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK1339-E 2SK1339-E Виробник : Renesas Electronics rej03g0936_2sk1339ds-1090432.pdf MOSFET POWER Transistor HV MOS
товар відсутній