2SK1518-E Renesas


2sk1517-2sk1518-datasheet Виробник: Renesas
MOSFET 500V,20A,MAX 0.27 OHM VGS10V, TO-3P 2SK1518 HIT2SK1518
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1518-E Renesas

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK1518-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK1518-E 2SK1518-E Виробник : Renesas Electronics America Inc 2sk1517-2sk1518-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V
товар відсутній
2SK1518-E 2SK1518-E Виробник : Renesas Electronics rej03g0947_2sk1517ds-1090509.pdf MOSFET power MOSFET
товар відсутній