Технічний опис 2SK536-TB-E ??
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK536-TB-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK536-TB-E | Виробник : SANYO |
 05+PB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SK536-TB-E | Виробник : SANYO |
SOT23 |
на замовлення 11576 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SK536-TB-E | Виробник : SANYO |
SOT23/SOT323 |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2SK536-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
JFET N-Channel MOSFET 50V, 100mA, Single CP |
на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
2SK536-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|
 |
2SK536-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
|
|
2SK536-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
| 2SK536-TB-E | Виробник : Sanyo |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: 3-CP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
товар відсутній |