2N3585

2N3585 Microchip Technology


2N3584-1661334.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2037.72 грн
100+ 1865.41 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3585 Microchip Technology

Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 2.5 W.

Інші пропозиції 2N3585

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3585 Виробник : MOT 6047-2n3584-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N3585
Код товару: 173154
6047-2n3584-datasheet Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-66
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 2 A
Монтаж: THT
товар відсутній
2N3585 2N3585 Виробник : Microchip Technology msc1057.pdf Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N3585 2N3585 Виробник : Microchip Technology msc1057.pdf Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N3585 2N3585 Виробник : Microchip Technology msc1057.pdf Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N3585 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 2N3585.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 2A; 35W; TO66
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO66
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
2N3585 Виробник : Microchip Technology 6047-2n3584-datasheet Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2.5 W
товар відсутній
2N3585 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 2N3585.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 2A; 35W; TO66
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO66
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товар відсутній