2N4237 MOTOROLA


2N4, FTSO4 Type.pdf 6074-2n4237-datasheet Виробник: MOTOROLA

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4237 MOTOROLA

Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2N4237

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N4237 Виробник : MOTOROLA 2N4, FTSO4 Type.pdf 6074-2n4237-datasheet 02+ TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N4237
Код товару: 133695
2N4, FTSO4 Type.pdf 6074-2n4237-datasheet Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N4237 2N4237 Виробник : Microchip Technology 2n4237.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N4237 2N4237 Виробник : Microchip Technology 2n4237.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N4237 2N4237 Виробник : onsemi 2N4, FTSO4 Type.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N4237 2N4237 Виробник : Microchip Technology 6074-2n4237-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2N4237 Виробник : Microchip Technology 2N4, FTSO4 Type.pdf 6074-2n4237-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N4237 Виробник : onsemi 2N4, FTSO4 Type.pdf 6074-2n4237-datasheet Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній