2N5416 CDIL
Виробник: CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 30...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 15MHz
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 55.66 грн |
| 14+ | 26.15 грн |
| 25+ | 23.48 грн |
| 42+ | 19.3 грн |
| 113+ | 18.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5416 CDIL
Description: PNP TRANSISTORS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції 2N5416 за ціною від 21.85 грн до 1837.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5416 | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 30...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3757 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5416 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Description: PNP TRANSISTORS Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N5416 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Power Switching |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N5416 | Виробник : TT Electronics - IoT Solutions |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
|||||||||||||
| 2N5416 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
| 2N5416 | Виробник : Ignion |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
| 2N5416 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
2N5416 Код товару: 17794 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-39 fT: 15 MHz Uке, В: 300 V Uкб, В: 350 V |
товар відсутній
|