2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS PNP 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.69 грн |
25+ | 121.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції 2SA1943N(S1,E,S) за ціною від 64.44 грн до 189.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) Код товару: 176753 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SA1943N(S1,E,S) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товар відсутній |