2SB815-6-TB-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 793994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 3.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB815-6-TB-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2SB815-6-TB-E за ціною від 3.61 грн до 6.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SB815-6-TB-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 700mA SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 793994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB815-6-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 794950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB815-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
2SB815-6-TB-E Код товару: 184952 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||
| 2SB815-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
||||||
|
|
2SB815-6-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
товар відсутній |
|||||
|
|
2SB815-6-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
товар відсутній |