2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 12dB ~ 17dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2SC5065-Y(TE85L,F) за ціною від 7.69 грн до 29.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5065-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 30mA 100mW 12V |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2SC5065-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 12dB ~ 17dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2SC5065-Y(TE85L,F) Код товару: 166612 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|