Продукція > ONSEMI > 2SC5566-TD-E
2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E onsemi

en6307-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5566-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SC5566-TD-E за ціною від 12.34 грн до 38.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.72 грн
500+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+26.54 грн
15+ 23.28 грн
16+ 21.56 грн
25+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : onsemi EN6307_D-2310835.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 10011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.07 грн
13+ 23.66 грн
100+ 16.5 грн
500+ 14.85 грн
1000+ 13.74 грн
2000+ 12.95 грн
5000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 449 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+29 грн
10+ 25.88 грн
25+ 25.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.12 грн
24+ 30.89 грн
100+ 20.72 грн
500+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Виробник : onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.39 грн
10+ 32.31 грн
100+ 22.39 грн
500+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC5566-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1249313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.96 грн
2000+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.11 грн
2000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+19.97 грн
31+ 18.7 грн
32+ 18.57 грн
100+ 15.94 грн
250+ 14.61 грн
500+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
583+20 грн
654+ 17.81 грн
661+ 17.63 грн
751+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 583
2SC5566-TD-E
Код товару: 161288 		en6307-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2SC5566-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній