Результат пошуку "2sd1802t-e." : 4
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SD1802T-E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SD1802T-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
2SD1802T-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SD1802T-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
2SD1802T-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
| 2SD1802T-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| 2SD1802T-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.41 грн |
| 10+ | 61.43 грн |
| 100+ | 41.55 грн |
| 700+ | 25.47 грн |
| 2SD1802T-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
| 2SD1802T-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній