30KP160CA MDE Semiconductor Inc
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1268.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KP160CA MDE Semiconductor Inc
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 178.7V; 120A; bidirectional; R6; 30kW; bulk, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 160V, Breakdown voltage: 178.7V, Max. forward impulse current: 120A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: R6, Mounting: THT, Leakage current: 10µA, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 30KP160CA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
30KP160CA | Виробник : CDIL |
 Category: Bidirectional THT transil diodesDescription: Diode: TVS; 178.7V; 120A; bidirectional; R6; 30kW; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 160V Breakdown voltage: 178.7V Max. forward impulse current: 120A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 10µA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
30KP160CA | Виробник : CDIL |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 178.7V; 120A; bidirectional; R6; 30kW; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 160V Breakdown voltage: 178.7V Max. forward impulse current: 120A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 10µA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |