30KPA132CA-B Littelfuse
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1052.81 грн |
10+ | 1006.1 грн |
50+ | 972.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KPA132CA-B Littelfuse
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 154.8V; 142.3A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 132V, Breakdown voltage: 154.8V, Max. forward impulse current: 142.3A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Peak pulse power dissipation: 30kW, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 30KPA132CA-B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
30KPA132CA-B | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 132VWM 213VC P600 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
30KPA132CA-B | Виробник : Littelfuse | TVS Diode Single Bi-Dir 132V 30KW 2-Pin Case P-600 Bulk |
товар відсутній |
||
30KPA132CA-B | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 154.8V; 142.3A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 132V Breakdown voltage: 154.8V Max. forward impulse current: 142.3A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 30kW Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
30KPA132CA-B | Виробник : Littelfuse | ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode Axial |
товар відсутній |
||
30KPA132CA-B | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 154.8V; 142.3A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; bulk Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 132V Breakdown voltage: 154.8V Max. forward impulse current: 142.3A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 30kW Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |