Результат пошуку "4.7UF X 10V, A, 20 (CA42)" : 10

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
XP2306GN XP2306GN YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.94 грн
24+ 31.18 грн
100+ 20.94 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
XP2306GN XP2306GN YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.94 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.88 грн
28+ 26.76 грн
100+ 16.22 грн
500+ 11.43 грн
1000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
XP2P053N XP2P053N YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.22 грн
500+ 11.43 грн
1000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP65SL190DI XP65SL190DI YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.97 грн
5+ 459.3 грн
10+ 381.89 грн
50+ 340.23 грн
100+ 300.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.2 грн
15+ 50.8 грн
100+ 31.48 грн
500+ 24.51 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
XP9452GG XP9452GG YAGEO XSEMI XP9452GG.pdf Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.48 грн
500+ 24.51 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
XPN12006NC,L1XHQ(O XPN12006NC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.31 грн
10+ 75.94 грн
100+ 56.91 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 36.59 грн
5000+ 35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN12006NC,L1XHQ(O XPN12006NC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.31 грн
10+ 75.94 грн
100+ 56.91 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 36.59 грн
5000+ 35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN7R104NC,L1XHQ(O XPN7R104NC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.79 грн
10+ 76.67 грн
100+ 57.73 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 37.09 грн
5000+ 36.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP2306GN
XP2306GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+36.94 грн
24+ 31.18 грн
100+ 20.94 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
XP2306GN
XP2306GN
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.94 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP2P053N
XP2P053N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.88 грн
28+ 26.76 грн
100+ 16.22 грн
500+ 11.43 грн
1000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
XP2P053N
XP2P053N
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.22 грн
500+ 11.43 грн
1000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP65SL190DI
XP65SL190DI
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+535.97 грн
5+ 459.3 грн
10+ 381.89 грн
50+ 340.23 грн
100+ 300.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+59.2 грн
15+ 50.8 грн
100+ 31.48 грн
500+ 24.51 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
XP9452GG XP9452GG.pdf
XP9452GG
Виробник: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.48 грн
500+ 24.51 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
XPN12006NC,L1XHQ(O
XPN12006NC,L1XHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.31 грн
10+ 75.94 грн
100+ 56.91 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 36.59 грн
5000+ 35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN12006NC,L1XHQ(O
XPN12006NC,L1XHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.31 грн
10+ 75.94 грн
100+ 56.91 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 36.59 грн
5000+ 35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN7R104NC,L1XHQ(O
XPN7R104NC,L1XHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+98.79 грн
10+ 76.67 грн
100+ 57.73 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 37.09 грн
5000+ 36.34 грн
Мінімальне замовлення: 8