Результат пошуку "4N80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+143.6 грн
10+ 115.21 грн
100+ 91.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQI4N80TU FQI4N80TU Fairchild Semiconductor FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 286
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.57 грн
10+ 75.99 грн
12+ 68.46 грн
32+ 65.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+106.64 грн
10+ 91.19 грн
12+ 82.15 грн
32+ 78.04 грн
250+ 76.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF4N80 FQPF4N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 334
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.61 грн
3+ 303.27 грн
8+ 286.84 грн
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+546.73 грн
3+ 377.92 грн
8+ 344.2 грн
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.45 грн
30+ 388.31 грн
120+ 347.46 грн
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS media-3319887.pdf MOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.97 грн
10+ 464.04 грн
30+ 366.06 грн
120+ 335.82 грн
270+ 331.88 грн
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS media-3319533.pdf MOSFET DIODE Id24 BVdass800
на замовлення 210 шт:
термін постачання 623-632 дні (днів)
1+798.93 грн
10+ 778.44 грн
30+ 548.75 грн
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.42 грн
2+ 523.7 грн
5+ 494.95 грн
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+941.3 грн
2+ 652.61 грн
5+ 593.94 грн
IXFK44N80P IXFK44N80P Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS media-3319391.pdf MOSFET 44 Amps 800V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 670-679 дні (днів)
1+1446.04 грн
10+ 1266.67 грн
25+ 1027.19 грн
50+ 995.65 грн
100+ 963.44 грн
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2108.49 грн
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS IXFK(X)44N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2530.19 грн
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS media-3319570.pdf description Discrete Semiconductor Modules 36 Amps 800V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 351-360 дні (днів)
1+2395.24 грн
10+ 2097.26 грн
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+882.47 грн
2+ 585.31 грн
4+ 553.82 грн
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1058.96 грн
2+ 729.39 грн
4+ 664.58 грн
30+ 663.76 грн
IXFT14N80P IXFT14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.9 грн
3+ 366.93 грн
6+ 347.08 грн
30+ 341.6 грн
IXFT14N80P IXFT14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+596.27 грн
3+ 457.25 грн
6+ 416.5 грн
30+ 409.92 грн
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS media-3319391.pdf MOSFET 44 Amps 800V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 771-780 дні (днів)
1+1442.97 грн
10+ 1421.6 грн
30+ 1126.43 грн
60+ 1025.88 грн
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.96 грн
4+ 108.85 грн
10+ 86.94 грн
25+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+158.36 грн
3+ 135.64 грн
10+ 104.33 грн
25+ 98.58 грн
300+ 97.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_4n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.57 грн
50+ 139.6 грн
100+ 114.86 грн
500+ 91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS media-3320704.pdf MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.11 грн
10+ 160.98 грн
100+ 112.38 грн
500+ 97.26 грн
1000+ 95.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJU04N80A-TP MSJU04N80A-TP Micro Commercial Co MSJU04N80A(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MSJU04N80A-TP MSJU04N80A-TP Micro Commercial Co MSJU04N80A(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.08 грн
10+ 82.56 грн
100+ 65.73 грн
500+ 52.19 грн
1000+ 44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha24n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.25 грн
50+ 166.52 грн
100+ 142.73 грн
500+ 119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha24n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.68 грн
10+ 202.55 грн
50+ 149.18 грн
100+ 137.35 грн
250+ 130.12 грн
500+ 122.24 грн
1000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb24n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.65 грн
50+ 171.35 грн
100+ 146.87 грн
500+ 122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.62 грн
10+ 195.74 грн
100+ 141.95 грн
250+ 137.35 грн
500+ 126.18 грн
1000+ 107.78 грн
2500+ 101.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd4n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.38 грн
10+ 98.25 грн
100+ 68.35 грн
250+ 64.8 грн
500+ 58.95 грн
1000+ 49.03 грн
3000+ 48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.9 грн
10+ 88.72 грн
100+ 70.59 грн
3000+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.99 грн
10+ 236.56 грн
100+ 166.93 грн
500+ 164.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n80aef.pdf MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.29 грн
10+ 276.61 грн
25+ 227.39 грн
100+ 195.19 грн
250+ 184.01 грн
500+ 172.18 грн
1000+ 139.98 грн
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg24n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.82 грн
10+ 248.77 грн
100+ 201.23 грн
SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.21 грн
5+ 220.95 грн
6+ 180.73 грн
15+ 170.87 грн
500+ 165.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.18 грн
10+ 175.34 грн
25+ 144.58 грн
100+ 128.15 грн
250+ 117.64 грн
500+ 110.41 грн
1000+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp24n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.43 грн
10+ 170.6 грн
100+ 138.02 грн
500+ 115.14 грн
1000+ 98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n80aef.pdf MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.85 грн
10+ 232.02 грн
25+ 189.93 грн
100+ 162.98 грн
250+ 153.78 грн
500+ 144.58 грн
1000+ 124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp24n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.06 грн
10+ 208.66 грн
100+ 168.82 грн
500+ 140.83 грн
1000+ 120.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp4n80e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.52 грн
10+ 104.81 грн
100+ 83.42 грн
500+ 66.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp4n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 25850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.61 грн
10+ 116.39 грн
100+ 80.83 грн
250+ 74.26 грн
500+ 68.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp4n80e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHU4N80AE-GE3 SIHU4N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihu4n80e.pdf MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.41 грн
10+ 89.18 грн
100+ 60.46 грн
500+ 51.2 грн
1000+ 41.73 грн
3000+ 39.23 грн
6000+ 38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU4N80AE-GE3 SIHU4N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu4n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.66 грн
10+ 80.37 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA04N80C3XKSA1 SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies infineon-spa04n80c3-ds-v02_92-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+ 84.96 грн
100+ 67.63 грн
500+ 53.7 грн
1000+ 45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.78 грн
10+ 95.23 грн
100+ 65.39 грн
250+ 61.71 грн
500+ 53.17 грн
1000+ 46.2 грн
2500+ 43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.9 грн
5000+ 44.39 грн
12500+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPP04N80C3 SPP04N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.31 грн
10+ 95.98 грн
100+ 66.38 грн
250+ 63.55 грн
500+ 53.63 грн
1000+ 47.71 грн
2500+ 45.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp04n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.06 грн
50+ 83.59 грн
100+ 68.78 грн
500+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
3+106.57 грн
10+ 83.13 грн
100+ 60.92 грн
250+ 59.87 грн
500+ 53.69 грн
1000+ 45.35 грн
2500+ 44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB14N80K5 STB14N80K5 STMicroelectronics en.DM00175161.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.66 грн
10+ 203.46 грн
100+ 164.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB14N80K5 STB14N80K5 STMicroelectronics stb14n80k5-1850249.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.45 грн
10+ 197.26 грн
25+ 161.67 грн
100+ 138.67 грн
250+ 130.78 грн
500+ 123.55 грн
1000+ 109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB4N80ET4 STB4N80ET4 onsemi Description: RF MOSFET 800V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+94.53 грн
Мінімальне замовлення: 210
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.6 грн
10+ 115.21 грн
100+ 91.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI4N80TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 286
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.57 грн
10+ 75.99 грн
12+ 68.46 грн
32+ 65.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.64 грн
10+ 91.19 грн
12+ 82.15 грн
32+ 78.04 грн
250+ 76.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF4N80 FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF4N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
334+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 334
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.61 грн
3+ 303.27 грн
8+ 286.84 грн
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546.73 грн
3+ 377.92 грн
8+ 344.2 грн
IXFH14N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n80p_datasheet.pdf.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.45 грн
30+ 388.31 грн
120+ 347.46 грн
IXFH14N80P media-3319887.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+548.97 грн
10+ 464.04 грн
30+ 366.06 грн
120+ 335.82 грн
270+ 331.88 грн
IXFH24N80P media-3319533.pdf
IXFH24N80P
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id24 BVdass800
на замовлення 210 шт:
термін постачання 623-632 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+798.93 грн
10+ 778.44 грн
30+ 548.75 грн
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+784.42 грн
2+ 523.7 грн
5+ 494.95 грн
IXFK24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+941.3 грн
2+ 652.61 грн
5+ 593.94 грн
IXFK44N80P ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n80p_datasheet.pdf.pdf
IXFK44N80P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFK44N80P media-3319391.pdf
IXFK44N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 44 Amps 800V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 670-679 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1446.04 грн
10+ 1266.67 грн
25+ 1027.19 грн
50+ 995.65 грн
100+ 963.44 грн
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2108.49 грн
IXFK44N80Q3 IXFK(X)44N80Q3.pdf
IXFK44N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2530.19 грн
IXFN44N80P description media-3319570.pdf
IXFN44N80P
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 36 Amps 800V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 351-360 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2395.24 грн
10+ 2097.26 грн
IXFR24N80P IXFR24N80P.pdf
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+882.47 грн
2+ 585.31 грн
4+ 553.82 грн
IXFR24N80P IXFR24N80P.pdf
IXFR24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1058.96 грн
2+ 729.39 грн
4+ 664.58 грн
30+ 663.76 грн
IXFT14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFT14N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+496.9 грн
3+ 366.93 грн
6+ 347.08 грн
30+ 341.6 грн
IXFT14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFT14N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+596.27 грн
3+ 457.25 грн
6+ 416.5 грн
30+ 409.92 грн
IXFX44N80P media-3319391.pdf
IXFX44N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 44 Amps 800V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 771-780 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1442.97 грн
10+ 1421.6 грн
30+ 1126.43 грн
60+ 1025.88 грн
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.96 грн
4+ 108.85 грн
10+ 86.94 грн
25+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.36 грн
3+ 135.64 грн
10+ 104.33 грн
25+ 98.58 грн
300+ 97.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_4n80p_datasheet.pdf.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.57 грн
50+ 139.6 грн
100+ 114.86 грн
500+ 91.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N80P media-3320704.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.11 грн
10+ 160.98 грн
100+ 112.38 грн
500+ 97.26 грн
1000+ 95.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJU04N80A-TP MSJU04N80A(DPAK).pdf
MSJU04N80A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MSJU04N80A-TP MSJU04N80A(DPAK).pdf
MSJU04N80A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.08 грн
10+ 82.56 грн
100+ 65.73 грн
500+ 52.19 грн
1000+ 44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
SIHA24N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.25 грн
50+ 166.52 грн
100+ 142.73 грн
500+ 119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
SIHA24N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.68 грн
10+ 202.55 грн
50+ 149.18 грн
100+ 137.35 грн
250+ 130.12 грн
500+ 122.24 грн
1000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB24N80AE-GE3 sihb24n80ae.pdf
SIHB24N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.65 грн
50+ 171.35 грн
100+ 146.87 грн
500+ 122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB24N80AE-GE3 sihb24n80ae.pdf
SIHB24N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.62 грн
10+ 195.74 грн
100+ 141.95 грн
250+ 137.35 грн
500+ 126.18 грн
1000+ 107.78 грн
2500+ 101.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
SIHD4N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.38 грн
10+ 98.25 грн
100+ 68.35 грн
250+ 64.8 грн
500+ 58.95 грн
1000+ 49.03 грн
3000+ 48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
SIHD4N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.9 грн
10+ 88.72 грн
100+ 70.59 грн
3000+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG24N80AE-GE3 sihg24n80ae.pdf
SIHG24N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.99 грн
10+ 236.56 грн
100+ 166.93 грн
500+ 164.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG24N80AEF-GE3 sihg24n80aef.pdf
SIHG24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.29 грн
10+ 276.61 грн
25+ 227.39 грн
100+ 195.19 грн
250+ 184.01 грн
500+ 172.18 грн
1000+ 139.98 грн
SIHG24N80AEF-GE3 sihg24n80aef.pdf
SIHG24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+307.82 грн
10+ 248.77 грн
100+ 201.23 грн
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.21 грн
5+ 220.95 грн
6+ 180.73 грн
15+ 170.87 грн
500+ 165.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.18 грн
10+ 175.34 грн
25+ 144.58 грн
100+ 128.15 грн
250+ 117.64 грн
500+ 110.41 грн
1000+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.43 грн
10+ 170.6 грн
100+ 138.02 грн
500+ 115.14 грн
1000+ 98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.85 грн
10+ 232.02 грн
25+ 189.93 грн
100+ 162.98 грн
250+ 153.78 грн
500+ 144.58 грн
1000+ 124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.06 грн
10+ 208.66 грн
100+ 168.82 грн
500+ 140.83 грн
1000+ 120.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP4N80E-BE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.52 грн
10+ 104.81 грн
100+ 83.42 грн
500+ 66.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP4N80E-BE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 25850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.61 грн
10+ 116.39 грн
100+ 80.83 грн
250+ 74.26 грн
500+ 68.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP4N80E-BE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHU4N80AE-GE3 sihu4n80e.pdf
SIHU4N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.41 грн
10+ 89.18 грн
100+ 60.46 грн
500+ 51.2 грн
1000+ 41.73 грн
3000+ 39.23 грн
6000+ 38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU4N80AE-GE3 sihu4n80e.pdf
SIHU4N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.66 грн
10+ 80.37 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA04N80C3XKSA1 infineon-spa04n80c3-ds-v02_92-en.pdf
SPA04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.64 грн
10+ 84.96 грн
100+ 67.63 грн
500+ 53.7 грн
1000+ 45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.78 грн
10+ 95.23 грн
100+ 65.39 грн
250+ 61.71 грн
500+ 53.17 грн
1000+ 46.2 грн
2500+ 43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.9 грн
5000+ 44.39 грн
12500+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPP04N80C3 Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf
SPP04N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.31 грн
10+ 95.98 грн
100+ 66.38 грн
250+ 63.55 грн
500+ 53.63 грн
1000+ 47.71 грн
2500+ 45.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 spp04n80c3_rev2.91.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.06 грн
50+ 83.59 грн
100+ 68.78 грн
500+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
SPP04N80C3XKSA1 Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.57 грн
10+ 83.13 грн
100+ 60.92 грн
250+ 59.87 грн
500+ 53.69 грн
1000+ 45.35 грн
2500+ 44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB14N80K5 en.DM00175161.pdf
STB14N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.66 грн
10+ 203.46 грн
100+ 164.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB14N80K5 stb14n80k5-1850249.pdf
STB14N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.45 грн
10+ 197.26 грн
25+ 161.67 грн
100+ 138.67 грн
250+ 130.78 грн
500+ 123.55 грн
1000+ 109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB4N80ET4
STB4N80ET4
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET 800V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
210+94.53 грн
Мінімальне замовлення: 210
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]