на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 310.9 грн |
10+ | 259.42 грн |
25+ | 215.69 грн |
100+ | 182.71 грн |
250+ | 174.14 грн |
500+ | 166.22 грн |
800+ | 131.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5KP170CA Littelfuse
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 199V; 18.5A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; reel,tape, Case: P600, Mounting: THT, Breakdown voltage: 199V, Kind of package: reel; tape, Tolerance: ±5%, Max. forward impulse current: 18.5A, Peak pulse power dissipation: 5kW, Features of semiconductor devices: glass passivated, Max. off-state voltage: 170V, Semiconductor structure: bidirectional, Leakage current: 2µA, Type of diode: TVS, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 5KP170CA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
5KP170CA | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 170V 275V P600 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
5KP170CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 199V; 18.5A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; reel,tape Case: P600 Mounting: THT Breakdown voltage: 199V Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 18.5A Peak pulse power dissipation: 5kW Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 170V Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 2µA Type of diode: TVS кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||
5KP170CA | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 170V 275V P600 |
товар відсутній |
||
5KP170CA | Виробник : Littelfuse Inc. | Description: TVS DIODE 170V 275V P600 |
товар відсутній |
||
5KP170CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 199V; 18.5A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; reel,tape Case: P600 Mounting: THT Breakdown voltage: 199V Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 18.5A Peak pulse power dissipation: 5kW Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 170V Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 2µA Type of diode: TVS |
товар відсутній |