5KP250A

5KP250A Littelfuse


Littelfuse_TVS_Diode_5KP_Datasheet_pdf-3312367.pdf Виробник: Littelfuse
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS AXIAL HI-POWER
на замовлення 429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.49 грн
10+ 324.98 грн
100+ 231.33 грн
500+ 197.16 грн
800+ 172.84 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 5KP250A Littelfuse

Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 5kW; 291.5V; 12A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape, Mounting: THT, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Peak pulse power dissipation: 5kW, Case: P600, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 250V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 12A, Breakdown voltage: 291.5V, Leakage current: 2µA, кількість в упаковці: 800 шт.

Інші пропозиції 5KP250A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
5KP250A 5KP250A Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_tvs_diode_5kp_datasheet.pdf.pdf Description: TVS DIODE 250VWM 425VC AXIAL
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5KP250A 5KP250A Виробник : LITTELFUSE 5KP-ser.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 291.5V; 12A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Peak pulse power dissipation: 5kW
Case: P600
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 250V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Breakdown voltage: 291.5V
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
5KP250A 5KP250A Виробник : LITTELFUSE 5KP-ser.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 5kW; 291.5V; 12A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Peak pulse power dissipation: 5kW
Case: P600
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 250V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Breakdown voltage: 291.5V
Leakage current: 2µA
товар відсутній