Результат пошуку "61LV12824-10TQLITR" : 5

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IS61LV12824-10TQLI-TR IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI 61LV12824.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 3MbSRAM; 128kx24bit; 3.3V; 10ns; TQFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 3Mb SRAM
Memory organisation: 128kx24bit
Access time: 10ns
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
IS61LV12824-10TQLI-TR IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI 61lv12824.pdf SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-bit 128K x 24-bit 10ns 100-Pin TQFP T/R
товар відсутній
IS61LV12824-10TQLI-TR IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI 61LV12824.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 3MbSRAM; 128kx24bit; 3.3V; 10ns; TQFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 3Mb SRAM
Memory organisation: 128kx24bit
Access time: 10ns
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IS61LV12824-10TQI-TR IS61LV12824-10TQI-TR ISSI integrated_silicon_solution_inc_61lv12824-1169592.pdf SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
товар відсутній
IS61LV12824-10TQLI-TR 61LV12824.pdf
IS61LV12824-10TQLI-TR
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 3MbSRAM; 128kx24bit; 3.3V; 10ns; TQFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 3Mb SRAM
Memory organisation: 128kx24bit
Access time: 10ns
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 3.3V
товар відсутній
IS61LV12824-10TQLI-TR 61lv12824.pdf
IS61LV12824-10TQLI-TR
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-bit 128K x 24-bit 10ns 100-Pin TQFP T/R
товар відсутній
IS61LV12824-10TQLI-TR 61LV12824.pdf
IS61LV12824-10TQLI-TR
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 3MbSRAM; 128kx24bit; 3.3V; 10ns; TQFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 3Mb SRAM
Memory organisation: 128kx24bit
Access time: 10ns
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IS61LV12824-10TQI-TR integrated_silicon_solution_inc_61lv12824-1169592.pdf
IS61LV12824-10TQI-TR
Виробник: ISSI
SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
товар відсутній