Результат пошуку "61WV5128BLL10KLI" : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI | SRAM 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async SRAM |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI Код товару: 165560 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI /U858B | ISSI | IS61WV5128BLL-10KLI /U858B |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI-TR /U858C | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
IS61WV5128BLL-10KLI |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 367.6 грн |
3+ | 297.41 грн |
8+ | 281.19 грн |
25+ | 269.02 грн |
IS61WV5128BLL-10KLI |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 441.12 грн |
3+ | 370.62 грн |
8+ | 337.42 грн |
25+ | 322.82 грн |
IS61WV5128BLL-10KLI |
Виробник: ISSI
SRAM 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async SRAM
SRAM 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async SRAM
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 295.25 грн |
10+ | 264.16 грн |
114+ | 200.51 грн |
266+ | 199.86 грн |
513+ | 192.72 грн |
1007+ | 182.99 грн |
2508+ | 173.9 грн |
IS61WV5128BLL-10KLI |
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
товар відсутній
IS61WV5128BLL-10KLI-TR |
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R
товар відсутній
IS61WV5128BLL-10KLI-TR |
Виробник: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS
товар відсутній
IS61WV5128BLL-10KLI-TR /U858C |
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
товар відсутній
IS61WV5128BLL-10KLI-TR |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній