Результат пошуку "61WV5128EDBLL10TLI" : 9
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS61WV5128EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM 4Mb 2.4-3.6V 10ns 512x8 Async SRAM |
на замовлення 3632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM 2Mb 128K x 16 2.5v- Async SRAM |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IS61WV5128EDBLL-10TLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128EDBLL-10TLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
IS61WV5128EDBLL-10TLI |
Виробник: ISSI
SRAM 4Mb 2.4-3.6V 10ns 512x8 Async SRAM
SRAM 4Mb 2.4-3.6V 10ns 512x8 Async SRAM
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.48 грн |
10+ | 238.94 грн |
100+ | 186.46 грн |
270+ | 184.46 грн |
540+ | 169.15 грн |
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR |
Виробник: ISSI
SRAM 2Mb 128K x 16 2.5v- Async SRAM
SRAM 2Mb 128K x 16 2.5v- Async SRAM
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 327.09 грн |
10+ | 293.31 грн |
100+ | 222.42 грн |
250+ | 221.76 грн |
500+ | 213.77 грн |
1000+ | 203.11 грн |
2000+ | 192.46 грн |
IS61WV5128EDBLL-10TLI |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
товар відсутній
IS61WV5128EDBLL-10TLI |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IS61WV5128EDBLL-10TLI |
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
товар відсутній
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR |
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товар відсутній
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній