Результат пошуку "628512 SRAM 8x512Kb 55ns" : 3
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV51216BLL-55TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 5 - 48 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
R1LP0108ESA-5SI#S1 | RENESAS |
Description: RENESAS - R1LP0108ESA-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: STSOP rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 55ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
R1LP0108ESF-5SI#S1 | RENESAS |
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit Speicherdichte: 1Mbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 55ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IS62WV51216BLL-55TLI |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 547.76 грн |
10+ | 460.03 грн |
25+ | 448.98 грн |
50+ | 395.68 грн |
R1LP0108ESA-5SI#S1 |
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESA-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: STSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: RENESAS - R1LP0108ESA-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: STSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 147.24 грн |
250+ | 137.13 грн |
500+ | 130.17 грн |
1000+ | 125.12 грн |
R1LP0108ESF-5SI#S1 |
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 135.86 грн |
250+ | 135.23 грн |
500+ | 134.6 грн |