Результат пошуку "628512 SRAM 8x512Kb 55ns" : 3

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IS62WV51216BLL-55TLI IS62WV51216BLL-55TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 62WV51216ALL.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.76 грн
10+ 460.03 грн
25+ 448.98 грн
50+ 395.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
R1LP0108ESA-5SI#S1 RENESAS r1lp0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0151ej0100 Description: RENESAS - R1LP0108ESA-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: STSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.24 грн
250+ 137.13 грн
500+ 130.17 грн
1000+ 125.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
R1LP0108ESF-5SI#S1 R1LP0108ESF-5SI#S1 RENESAS r1lp0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0151ej0100 Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.86 грн
250+ 135.23 грн
500+ 134.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IS62WV51216BLL-55TLI 62WV51216ALL.pdf
IS62WV51216BLL-55TLI
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV51216BLL-55TLI - IC, SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 55ns Zugriffszeit, TTL-Schnittstelle, 2.5V-3.6V Versorgung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+547.76 грн
10+ 460.03 грн
25+ 448.98 грн
50+ 395.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
R1LP0108ESA-5SI#S1 r1lp0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0151ej0100
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESA-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: STSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+147.24 грн
250+ 137.13 грн
500+ 130.17 грн
1000+ 125.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
R1LP0108ESF-5SI#S1 r1lp0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0151ej0100
R1LP0108ESF-5SI#S1
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+135.86 грн
250+ 135.23 грн
500+ 134.6 грн
Мінімальне замовлення: 100