Результат пошуку "6A10 (6A 1000V) R-6" : 51
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 26
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
6A10M; (6A 1000V); Диод НЧ; корпус: R-6; россыпь; DC comp. |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
6A10 R6 | LGE |
6A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 60S10; LT6A07; DR7510; P600M; CR5-100 6A10 diode rectifying DP 6A10 q кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 410 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10 R6 | LGE |
6A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 60S10; LT6A07; DR7510; P600M; CR5-100 6A10 diode rectifying DP 6A10 q кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10-G | Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10-G | Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10-T/B | MDD |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A100G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 3537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A100G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 6A10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10G R0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G R0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 6A10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10G R6 LGE | LGE |
6A; 1000V; packaging: ammo; 6A10G R6 LGE DP 6A100G LGE кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10G R6 LGE | LGE |
6A; 1000V; packaging: ammo; 6A10G R6 LGE DP 6A100G LGE кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
KBPC610; 6A 1000V; 15x15x6 мм YANGJIE корпус: BR-6 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Діод імпульсний FR607, 6A 1000V |
на замовлення 128 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P6A10 (P600M) Код товару: 44068 |
YJ |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: R-6 Uзвор., V: 1000 V Iвипр., A: 6 A Опис: Випрямний Може замінити: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1,1 V |
у наявності: 102 шт
очікується:
500 шт
|
|
|||||||||||||
FR607 | MIC |
6A; 1000V; fast <500ns packaging: ammo; FR607 diode rectifying DP FR607 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 455 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MF-R600 | BOURNS |
Description: BOURNS - MF-R600 - Rückstellbare Sicherung, PPTC, MF-R, 30 VDC, 6 A, 12 A, 16 s, Rechteckig tariffCode: 85361010 Zeit zur Auslösung: 16s Thermistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 10.2mm Höhe: 31.9mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennstrom, max.: 40A usEccn: EAR99 Haltestrom: 6A Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Länge: 19.3mm Dicke: 3mm Auslösestrom: 12A Produktpalette: MF-R Sicherungsform: Rechteckig productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MPL-AT2512-R68 | MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) |
Description: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) - MPL-AT2512-R68 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 4.7 A, Geschirmt, 6 A, MPL-AT tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.032ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.7A Sättigungsstrom (Isat): 6A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: MPL-AT productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MPL-AT2512-R68 | MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) |
Description: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) - MPL-AT2512-R68 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 4.7 A, Geschirmt, 6 A, MPL-AT tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.032ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.7A Sättigungsstrom (Isat): 6A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: MPL-AT productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P600AG | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - P600AG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P600DG | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - P600DG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P600GG | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - P600GG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P600KG | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - P600KG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
P600MG | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - P600MG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
R6006JNJGTL | ROHM |
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
R6006JNJGTL | ROHM |
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SF63G | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - SF63G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 6 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP0310-R68K | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP0310-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 4.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0310 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.68µH hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Widerstand, max.: 0.0355ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 6A RMS-Strom Irms: 4.6A Produktlänge: 3.4mm euEccn: NLR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 3.1mm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP0310-R68K | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP0310-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 4.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0310 Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.68µH hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Widerstand, max.: 0.0355ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 6A RMS-Strom Irms: 4.6A Produktlänge: 3.4mm euEccn: NLR productTraceability: No Produktbreite: 3.1mm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP0312-R68K | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP0312-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0312 tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 10% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.0248ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.6A Sättigungsstrom (Isat): 6A Produktlänge: 3.4mm euEccn: NLR Produktpalette: SRP0312 productTraceability: No Produktbreite: 3.1mm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP0312-R68K | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP0312-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0312 tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 10% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.0248ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 3.4mm x 3.1mm x 1.2mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.6A Sättigungsstrom (Isat): 6A Produktlänge: 3.4mm euEccn: NLR Produktpalette: SRP0312 productTraceability: No Produktbreite: 3.1mm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP3020C-R68M | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP3020C-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6 A, SRP3020C tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.68µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.029ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 6A RMS-Strom Irms: 5.5A Produktlänge: 3.5mm euEccn: NLR Produktpalette: SRP3020C productTraceability: No Produktbreite: 3.2mm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP3020C-R68M | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP3020C-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6 A, SRP3020C tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 0.68µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.029ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 6A RMS-Strom Irms: 5.5A Produktlänge: 3.5mm euEccn: NLR Produktpalette: SRP3020C productTraceability: No Produktbreite: 3.2mm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP4012CC-R68M | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP4012CC-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5 A, Geschirmt, 6 A, SRP4012CC Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.027ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 6A RMS-Strom Irms: 5A Produktlänge: 4.45mm euEccn: NLR Produktpalette: SRP4012CC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 4.06mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRP4012CC-R68M | BOURNS |
Description: BOURNS - SRP4012CC-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5 A, Geschirmt, 6 A, SRP4012CC Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 680nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.027ohm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 6A RMS-Strom Irms: 5A Produktlänge: 4.45mm euEccn: NLR Produktpalette: SRP4012CC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 4.06mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
6A10 | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10 | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10 | SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10-T | Diodes Incorporated |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10-T | Diodes Incorporated |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10-TP | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10-TP | Micro Commercial Co |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A100G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A100G B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Bulk Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A100GH | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A100GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A100GHB0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Bulk Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10B-G | Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Bulk Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10G | SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10G | SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
6A10G-TP | Micro Commercial Co |
Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
6A10M; (6A 1000V); Диод НЧ; корпус: R-6; россыпь; DC comp. |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 666.96 грн |
6A10 R6 |
Виробник: LGE
6A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 60S10; LT6A07; DR7510; P600M; CR5-100 6A10 diode rectifying DP 6A10 q
кількість в упаковці: 500 шт
6A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 60S10; LT6A07; DR7510; P600M; CR5-100 6A10 diode rectifying DP 6A10 q
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.45 грн |
6A10 R6 |
Виробник: LGE
6A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 60S10; LT6A07; DR7510; P600M; CR5-100 6A10 diode rectifying DP 6A10 q
кількість в упаковці: 500 шт
6A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 60S10; LT6A07; DR7510; P600M; CR5-100 6A10 diode rectifying DP 6A10 q
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.45 грн |
6A10-G |
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 18.35 грн |
1000+ | 14.36 грн |
2500+ | 12.84 грн |
6A10-G |
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.2 грн |
10+ | 32.6 грн |
100+ | 22.63 грн |
6A10-T/B |
Виробник: MDD
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 25.34 грн |
6A100G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.77 грн |
10+ | 31.57 грн |
100+ | 21.87 грн |
500+ | 17.14 грн |
6A100G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.14 грн |
2000+ | 13.85 грн |
6A10G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 6A10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 6A10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 85.74 грн |
11+ | 72.36 грн |
100+ | 52.92 грн |
500+ | 41.38 грн |
1000+ | 17.1 грн |
6A10G R0G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G R0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 6A10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G R0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 6A10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 63.27 грн |
16+ | 48.12 грн |
100+ | 30.01 грн |
6A10G R6 LGE |
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.57 грн |
6A10G R6 LGE |
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.57 грн |
KBPC610; 6A 1000V; 15x15x6 мм YANGJIE корпус: BR-6 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 222.32 грн |
Діод імпульсний FR607, 6A 1000V |
на замовлення 128 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 4.23 грн |
P6A10 (P600M) Код товару: 44068 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: R-6
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 6 A
Опис: Випрямний
Може замінити: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: R-6
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 6 A
Опис: Випрямний
Може замінити: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 102 шт
очікується:
500 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.8 грн |
FR607 |
Виробник: MIC
6A; 1000V; fast <500ns packaging: ammo; FR607 diode rectifying DP FR607
кількість в упаковці: 500 шт
6A; 1000V; fast <500ns packaging: ammo; FR607 diode rectifying DP FR607
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.94 грн |
MF-R600 |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - MF-R600 - Rückstellbare Sicherung, PPTC, MF-R, 30 VDC, 6 A, 12 A, 16 s, Rechteckig
tariffCode: 85361010
Zeit zur Auslösung: 16s
Thermistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10.2mm
Höhe: 31.9mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennstrom, max.: 40A
usEccn: EAR99
Haltestrom: 6A
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Länge: 19.3mm
Dicke: 3mm
Auslösestrom: 12A
Produktpalette: MF-R
Sicherungsform: Rechteckig
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: BOURNS - MF-R600 - Rückstellbare Sicherung, PPTC, MF-R, 30 VDC, 6 A, 12 A, 16 s, Rechteckig
tariffCode: 85361010
Zeit zur Auslösung: 16s
Thermistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10.2mm
Höhe: 31.9mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennstrom, max.: 40A
usEccn: EAR99
Haltestrom: 6A
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Länge: 19.3mm
Dicke: 3mm
Auslösestrom: 12A
Produktpalette: MF-R
Sicherungsform: Rechteckig
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 36.07 грн |
50+ | 34.74 грн |
250+ | 33.41 грн |
500+ | 29.79 грн |
MPL-AT2512-R68 |
Виробник: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS)
Description: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) - MPL-AT2512-R68 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 4.7 A, Geschirmt, 6 A, MPL-AT
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.032ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.7A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MPL-AT
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) - MPL-AT2512-R68 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 4.7 A, Geschirmt, 6 A, MPL-AT
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.032ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.7A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MPL-AT
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 51.15 грн |
50+ | 36.59 грн |
250+ | 33.85 грн |
500+ | 28.82 грн |
1000+ | 24.26 грн |
2000+ | 21.86 грн |
MPL-AT2512-R68 |
Виробник: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS)
Description: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) - MPL-AT2512-R68 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 4.7 A, Geschirmt, 6 A, MPL-AT
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.032ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.7A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MPL-AT
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) - MPL-AT2512-R68 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 4.7 A, Geschirmt, 6 A, MPL-AT
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.032ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.7A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MPL-AT
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 36.59 грн |
250+ | 33.85 грн |
500+ | 28.82 грн |
1000+ | 24.26 грн |
2000+ | 21.86 грн |
P600AG |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - P600AG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - P600AG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 36.07 грн |
26+ | 28.82 грн |
100+ | 20.62 грн |
500+ | 13.38 грн |
1000+ | 8.81 грн |
P600DG |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - P600DG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - P600DG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 41.32 грн |
23+ | 33.04 грн |
100+ | 23.58 грн |
500+ | 15.3 грн |
1000+ | 10.14 грн |
P600GG |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - P600GG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - P600GG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 37.55 грн |
25+ | 30.08 грн |
100+ | 21.43 грн |
500+ | 13.93 грн |
1000+ | 9.19 грн |
5000+ | 8.05 грн |
P600KG |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - P600KG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - P600KG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 36.07 грн |
26+ | 28.82 грн |
100+ | 20.62 грн |
500+ | 13.38 грн |
1000+ | 8.81 грн |
5000+ | 7.73 грн |
P600MG |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - P600MG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - P600MG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 36.07 грн |
26+ | 28.82 грн |
100+ | 20.62 грн |
500+ | 13.38 грн |
1000+ | 8.81 грн |
R6006JNJGTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)R6006JNJGTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 110.86 грн |
10+ | 97.56 грн |
SF63G |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - SF63G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 6 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - SF63G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 6 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: R6
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 158.17 грн |
10+ | 126.39 грн |
100+ | 90.17 грн |
500+ | 58.61 грн |
1000+ | 38.64 грн |
SRP0310-R68K |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP0310-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 4.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0310 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0355ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 4.6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 3.1mm
Description: BOURNS - SRP0310-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 4.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0310 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0355ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 4.6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 3.1mm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 34.22 грн |
100+ | 24.24 грн |
SRP0310-R68K |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP0310-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 4.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0310 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0355ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 4.6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
productTraceability: No
Produktbreite: 3.1mm
Description: BOURNS - SRP0310-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 4.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0310 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 0.0355ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 4.6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
productTraceability: No
Produktbreite: 3.1mm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 24.24 грн |
SRP0312-R68K |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP0312-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0312
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 10%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.0248ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 5.6A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP0312
productTraceability: No
Produktbreite: 3.1mm
Description: BOURNS - SRP0312-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0312
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 10%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.0248ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 5.6A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP0312
productTraceability: No
Produktbreite: 3.1mm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 30.01 грн |
SRP0312-R68K |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP0312-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0312
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 10%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.0248ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 3.4mm x 3.1mm x 1.2mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 5.6A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP0312
productTraceability: No
Produktbreite: 3.1mm
Description: BOURNS - SRP0312-R68K - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5.6 A, Geschirmt, 6 A, SRP0312
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 10%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.0248ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 3.4mm x 3.1mm x 1.2mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 5.6A
Sättigungsstrom (Isat): 6A
Produktlänge: 3.4mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP0312
productTraceability: No
Produktbreite: 3.1mm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 30.01 грн |
SRP3020C-R68M |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP3020C-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6 A, SRP3020C
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.8mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.029ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5.5A
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP3020C
productTraceability: No
Produktbreite: 3.2mm
Description: BOURNS - SRP3020C-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6 A, SRP3020C
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.8mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.029ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5.5A
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP3020C
productTraceability: No
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 29.05 грн |
50+ | 25.42 грн |
250+ | 21.06 грн |
SRP3020C-R68M |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP3020C-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6 A, SRP3020C
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.8mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.029ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5.5A
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP3020C
productTraceability: No
Produktbreite: 3.2mm
Description: BOURNS - SRP3020C-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 0.68 µH, 5.5 A, Geschirmt, 6 A, SRP3020C
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.8mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 0.68µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.029ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5.5A
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP3020C
productTraceability: No
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 25.42 грн |
250+ | 21.06 грн |
SRP4012CC-R68M |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP4012CC-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5 A, Geschirmt, 6 A, SRP4012CC Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.027ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5A
Produktlänge: 4.45mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP4012CC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 4.06mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: BOURNS - SRP4012CC-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5 A, Geschirmt, 6 A, SRP4012CC Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.027ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5A
Produktlänge: 4.45mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP4012CC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 4.06mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 51.66 грн |
100+ | 45.31 грн |
500+ | 40.87 грн |
1000+ | 35.62 грн |
2000+ | 30.6 грн |
4000+ | 27.37 грн |
SRP4012CC-R68M |
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - SRP4012CC-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5 A, Geschirmt, 6 A, SRP4012CC Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.027ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5A
Produktlänge: 4.45mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP4012CC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 4.06mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: BOURNS - SRP4012CC-R68M - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, 5 A, Geschirmt, 6 A, SRP4012CC Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.027ohm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 6A
RMS-Strom Irms: 5A
Produktlänge: 4.45mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SRP4012CC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 4.06mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 45.31 грн |
500+ | 40.87 грн |
1000+ | 35.62 грн |
2000+ | 30.6 грн |
4000+ | 27.37 грн |
6A10 |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10 |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10 |
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10-T |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10-T |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A100G A0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A100G B0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A100GH |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
6A100GHA0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
6A100GHB0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
6A10B-G |
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10G |
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10G |
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
6A10G-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній