Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 6MS20017E43W38170NOSA1
6MS20017E43W38170NOSA1

6MS20017E43W38170NOSA1 Infineon Technologies


ds_ff1000r17ie4_3_2_zh-en.pdffileiddb3a30433e16edf9013e1d1e211720.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Stack
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 6MS20017E43W38170NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 1200A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -25°C ~ 55°C, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V.

Інші пропозиції 6MS20017E43W38170NOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
6MS20017E43W38170NOSA1 6MS20017E43W38170NOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-6MS20017E43W38170-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d32c1f910160 Description: IGBT MODULE 1700V 1200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -25°C ~ 55°C
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
товар відсутній