71V256SA15YG8 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.14 грн |
10+ | 114.96 грн |
25+ | 111.87 грн |
50+ | 104.44 грн |
100+ | 93.36 грн |
250+ | 93.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 71V256SA15YG8 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 71V256SA15YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 256Kbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit.
Інші пропозиції 71V256SA15YG8 за ціною від 89.32 грн до 152.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
71V256SA15YG8 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - 71V256SA15YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 256Kbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
71V256SA15YG8 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - 71V256SA15YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOJ, 28 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 256Kbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
71V256SA15YG8 | Виробник : Renesas / IDT | SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
71V256SA15YG8 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |