на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 157.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 8.0SMDJ100CA Littelfuse Inc.
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 8kW; 111÷123V; 49.4A; bidirectional; ±5%; DO214AB, Tolerance: ±5%, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Breakdown voltage: 111...123V, Max. forward impulse current: 49.4A, Peak pulse power dissipation: 8kW, Features of semiconductor devices: glass passivated, Max. off-state voltage: 100V, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: bidirectional, Leakage current: 5µA, Case: DO214AB, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції 8.0SMDJ100CA за ціною від 137.35 грн до 300.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
8.0SMDJ100CA | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB |
на замовлення 5310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
8.0SMDJ100CA | Виробник : Littelfuse |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 8KW 100V 5%BI |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
8.0SMDJ100CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 8kW; 111÷123V; 49.4A; bidirectional; ±5%; DO214AB Tolerance: ±5% Type of diode: TVS Mounting: SMD Breakdown voltage: 111...123V Max. forward impulse current: 49.4A Peak pulse power dissipation: 8kW Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 100V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 5µA Case: DO214AB кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
8.0SMDJ100CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 8kW; 111÷123V; 49.4A; bidirectional; ±5%; DO214AB Tolerance: ±5% Type of diode: TVS Mounting: SMD Breakdown voltage: 111...123V Max. forward impulse current: 49.4A Peak pulse power dissipation: 8kW Features of semiconductor devices: glass passivated Max. off-state voltage: 100V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 5µA Case: DO214AB |
товар відсутній |