8ETX06S IR


8ETX06(8,-1).pdf Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 8ETX06S IR

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

Інші пропозиції 8ETX06S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
8ETX06S Виробник : IR 8ETX06(8,-1).pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8ETX06S 8ETX06S Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETX06(8,-1).pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній