Технічний опис 8EWS12STRL IR
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції 8EWS12STRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 8EWS12STRL | Виробник : IR |
 TO-263 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
8EWS12STRL | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
товар відсутній |