ALD212900APAL Advanced Linear Devices
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 610.31 грн |
| 10+ | 515.44 грн |
| 50+ | 398.26 грн |
| 100+ | 372.63 грн |
| 250+ | 350.94 грн |
| 500+ | 329.25 грн |
| 1000+ | 277.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ALD212900APAL Advanced Linear Devices
Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA, Supplier Device Package: 8-PDIP.
Інші пропозиції ALD212900APAL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
ALD212900APAL Код товару: 185779 |
 Транзистори > ВЧ |
товар відсутній
|
|||
 |
ALD212900APAL | Виробник : Advanced Linear Devices Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA Supplier Device Package: 8-PDIP |
товар відсутній |