BLD6G21L-50,112 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V CDFM4
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-1130A
Current Rating (Amps): 10.2A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.02GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 8W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: CDFM4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 170 mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6048.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BLD6G21L-50,112 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V CDFM4, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-1130A, Current Rating (Amps): 10.2A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.02GHz, Configuration: Dual, Common Source, Power - Output: 8W, Gain: 14.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: CDFM4, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 170 mA.
Інші пропозиції BLD6G21L-50,112 за ціною від 9170.45 грн до 9170.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLD6G21L-50,112 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BLD6G21L-50,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|