Продукція > NXP > BLF6G20LS-110,112

BLF6G20LS-110,112 NXP


PHGL-S-A0001577333-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - BLF6G20LS-110,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+8958.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BLF6G20LS-110,112 NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 29A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Power - Output: 25W, Gain: 19dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 900 mA.

Інші пропозиції BLF6G20LS-110,112

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BLF6G20LS-110,112 BLF6G20LS-110,112 Виробник : Ampleon 143blf6g20-110_blf6g20ls-110.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3-Pin SOT-502B Bulk
товар відсутній
BLF6G20LS-110,112 BLF6G20LS-110,112 Виробник : Ampleon USA Inc. BLF6G20-110_BLF6G20LS-110.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 29A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 25W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 900 mA
товар відсутній