FDC6306P

FDC6306P ON Semiconductor


fdc6306p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDC6306P за ціною від 11.21 грн до 52.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6306P FDC6306P Виробник : ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6306P FDC6306P Виробник : ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6306P FDC6306P Виробник : onsemi / Fairchild FDC6306P_D-2312222.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.79 грн
10+ 38.08 грн
100+ 24.27 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 14.45 грн
3000+ 12.4 грн
9000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC6306P FDC6306P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.39 грн
18+ 42.69 грн
100+ 28.34 грн
500+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDC6306P Виробник : onsemi fdc6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6306P Виробник : onsemi fdc6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.67 грн
10+ 33.26 грн
100+ 23.09 грн
500+ 16.92 грн
1000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6306P FDC6306P Виробник : ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC6306P FDC6306P Виробник : ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC6306P FDC6306P Виробник : ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC6306P Виробник : ON Semiconductor fdc6306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній