Продукція > ONSEMI > FDD8870
FDD8870

FDD8870 onsemi

FDD8870.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8870 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDD8870 за ціною від 39.1 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8870 FDD8870 Виробник : onsemi / Fairchild FDD8870_D-2312436.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 15437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.07 грн
10+ 78.6 грн
100+ 59.15 грн
500+ 53.04 грн
1000+ 43.24 грн
2500+ 40.61 грн
5000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8870 FDD8870 Виробник : onsemi FDD8870.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.46 грн
10+ 90.02 грн
100+ 70.03 грн
500+ 55.71 грн
1000+ 45.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+139.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+150.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+165.77 грн
10+ 164.97 грн
25+ 164.17 грн
100+ 157.54 грн
250+ 145.15 грн
500+ 138.66 грн
1000+ 137.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+176.79 грн
100+ 175.94 грн
250+ 168.82 грн
500+ 155.55 грн
1000+ 148.58 грн
Мінімальне замовлення: 66
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 FDD8870
Код товару: 103193 		FDD8870.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD8870 FDD8870 Виробник : ONSEMI FDD8870.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 118nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD8870 FDD8870 Виробник : ONSEMI FDD8870.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 118nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
товар відсутній