Технічний опис FDFS2P106A onsemi / Fairchild
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SO8, Mounting: SMD, Case: SO8, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Drain current: -3A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -60V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 192mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDFS2P106A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDFS2P106A | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 192mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FDFS2P106A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDFS2P106A | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
FDFS2P106A | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
FDFS2P106A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 192mΩ |
товар відсутній |