FDG6321C

FDG6321C ON Semiconductor


fdg6321c.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6321C ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6).

Інші пропозиції FDG6321C за ціною від 9.15 грн до 38.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG6321C FDG6321C Виробник : onsemi fdg6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.76 грн
6000+ 10.75 грн
9000+ 9.98 грн
30000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6321C FDG6321C Виробник : onsemi fdg6321c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 33244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.42 грн
10+ 28.66 грн
100+ 19.96 грн
500+ 14.62 грн
1000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDG6321C FDG6321C Виробник : onsemi / Fairchild FDG6321C_D-2312075.pdf MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 13798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.13 грн
10+ 32.18 грн
100+ 19.49 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 12.4 грн
3000+ 10.48 грн
9000+ 9.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDG6321C Виробник : ONSEMI fdg6321c-d.pdf FDG6321C Multi channel transistors
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.13 грн
61+ 16.01 грн
166+ 15.14 грн
Мінімальне замовлення: 8